Биполярный транзистор KC847B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KC847B
Маркировка: 1F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
KC847B Datasheet (PDF)
kc846a kc846b kc847a kc847b kc847c kc848a kc848b kc848c.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorKC846A,B/KC847A,B,C/KC848A,B,C(BC846A,B/BC847A,B,C/BC848A,B,C)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesIdeally suited for automatic insertionFor Switching and AF Amplifier Applications12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
kc847t.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC847T (KC847T)SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.052 1 Features Ideally suited for automatic insertion3 For Switching and AF Amplifier Applications0.30.05+0.10.5-0.11. Base2. Emitter3. Collecter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec
kc846 kc847 kc848.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC846~BC848 (KC846~KC848)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 Ideally suited for automatic insertion For switching and AF amplifier applications1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol BC846 BC847 BC848 Unit Col
kc846w kc847w kc848w.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC846W,BC847W,BC848W(KC846W,KC847W,KC848W) Features Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications1 Base2 Emitter3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitBC846W 80 Collector - Base Voltage BC847W VCBO 50BC848W 30BC846W 65 Collector - Emitter Volt
kc847s.pdf
SMD Type TransistorsNPN Multi-Chip General Purpose AmplifierKC847S(BC847S)SOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesHigh current gainLow collector-emitter saturation voltage+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.11E1 4E22B1 5B23C2 6C1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 45 V
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
