Справочник транзисторов. KRA109M

 

Биполярный транзистор KRA109M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KRA109M
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92M
 

 Аналог (замена) для KRA109M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA109M Datasheet (PDF)

 0.1. Size:389K  kec
kra107m-kra109m.pdfpdf_icon

KRA109M

SEMICONDUCTOR KRA107M~KRA109MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES With Built-in Bias ResistorsSimplify Circuit DesignDIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXReduce a Quantity of Parts and Manufacturing ProcessHM B 4.30 MAXC 0.55 MAX_D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+G 14.00

 8.1. Size:391K  kec
kra107s-kra109s.pdfpdf_icon

KRA109M

SEMICONDUCTOR KRA107S~KRA109STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20With Built-in Bias Resistors.B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXSimplify Circuit Design.23 D 0.40+0.15/-0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.E 2.40+0.30

 8.2. Size:377K  kec
kra107-kra109.pdfpdf_icon

KRA109M

SEMICONDUCTOR KRA107~KRA109TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B CFEATURES With Built-in Bias ResistorsSimplify Circuit DesignReduce a Quantity of Parts and Manufacturing ProcessN DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85EQUIVALENT CI

Другие транзисторы... KC848B , KC848C , KC848AW , KC848BW , KC848CW , KN1A01FU , KNLS350E , KPLS350E , 2N2222A , KRA112M , KRA157F , KRA302VS , KMS3 , KMS4 , KMST2222A , KMST2907A , KMST3904 .

 

 
Back to Top

 


 
.