KRA302VS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KRA302VS

Маркировка: PB

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для KRA302VS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA302VS даташит

 ..1. Size:347K  kec
 kra302vs.pdf pdf_icon

KRA302VS

SEMICONDUCTOR KRA302VS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05

 9.1. Size:67K  kec
 kra301e-kra306e.pdf pdf_icon

KRA302VS

SEMICONDUCTOR KRA301E KRA306E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _

 9.2. Size:107K  kec
 kra301v-kra306v 1.pdf pdf_icon

KRA302VS

SEMICONDUCTOR KRA301V KRA306V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05

 9.3. Size:363K  kec
 kra307-kra308.pdf pdf_icon

KRA302VS

SEMICONDUCTOR KRA307 KRA308 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 2.00 0.20 D 2 Simplify Circuit Design _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KC848BW, KC848CW, KN1A01FU, KNLS350E, KPLS350E, KRA109M, KRA112M, KRA157F, B772, KMS3, KMS4, KMST2222A, KMST2907A, KMST3904, KMST3906, KMST4401, KMST4403