Биполярный транзистор KCX52 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KCX52
Маркировка: AE_AG_AM
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
Корпус транзистора: SOT89
KCX52 Datasheet (PDF)
kcx51 kcx52 kcx53.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBCX51BCX52BCX53KCX51KCX52KCX531.70 0.1Features NPN Complements to BCX54,BCX55,BCX56 Low Voltage High Current0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage BCX51 VCBO -45 VBCX52 -60 VBCX53 -100 VCollector-emitter volt
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .