Биполярный транзистор KCX591 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KCX591
Маркировка: P1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
Аналог (замена) для KCX591
KCX591 Datasheet (PDF)
kcx591.pdf

SMD Type TransistorsPNP TransistorsFCX591 (KCX591)1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=-1A Collector Emitter Voltage VCEO=-60V0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -60 V Emitter - Base Voltage VEBO -5
Другие транзисторы... KCX19 , KCX491A , KCX51 , KCX52 , KCX53 , KCX54 , KCX55 , KCX56 , 2SD669A , KCX69 , KCX70 , KCX71 , KC849 , KC849W , KC850 , KC850W , KC856 .
History: CFD1264A | UN411E | AM1517-012 | CN1933 | BU115
History: CFD1264A | UN411E | AM1517-012 | CN1933 | BU115



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet