Справочник транзисторов. KC859

 

Биполярный транзистор KC859 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KC859
   Маркировка: 4B*_4C*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для KC859

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC859 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  kexin
 kc859 kc860.pdf pdf_icon

KC859

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC859~BC860 (KC859~KC860)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). NPN complements: BC849 and BC850.1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec

 0.1. Size:695K  kexin
 kc859w kc860w.pdf pdf_icon

KC859

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC859W,BC860W(KC859W,KC860W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC849W and BC850W.CB1.Base2.EmitterE3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitBC859W -30 Collector - Base Voltage VCBOBC860W -50BC859W -30 V Collector - Emitter Voltag

Другие транзисторы... KC857S , KC857T , KC857W , KC858 , KC858A , KC858B , KC858C , KC858W , TIP36C , KC859W , KC860 , KC860W , RN1116F , RN1114FT , RN1115FT , KCP51 , KCP52 .

 

 
Back to Top

 


 
.