Биполярный транзистор KCW65 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KCW65
Маркировка: EA_EB_EC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
KCW65 Datasheet (PDF)
..1. Size:617K kexin
kcw65.pdf
kcw65.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBCW65 (KCW65)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 Collector Current Capability IC=800mA Collector Emitter Voltage VCEO=32V General Purpose Transistor 1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Coll
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
