Биполярный транзистор KMBT2907 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KMBT2907
Маркировка: W2F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
KMBT2907 Datasheet (PDF)
kmbt2907.pdf
SMD Type TransistorsProduct specificationKMBT2907SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1 Features3 Collector Current to Continuous :IC=-600mA Power Dissipation :PD=250mW1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -60 VCollec
kmbt2907at.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsMMBT2907AT (KMBT2907AT)SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 Small Package Complementary to MMBT2222AT30.30.05+0.10.5-0.11. Base2. Emitter3. Collecter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Col
kmbt2907a.pdf
e s st sPNP TransistorsMMBT2907A (KMBT2907A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -60 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector C
kmbt2222a.pdf
SMD Type TransistorsProduct specificationKMBT2222ASOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13 Features High current (max. 600 mA) Low voltage (max.40 V).1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 75 VCollector-emitter voltag
kmbt2222at.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBT2222AT (KMBT2222AT)SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 Small Package Complementary to MMBT2907AT30.30.05+0.10.5-0.11. Base2. Emitter3. Collecter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 75 Coll
kmbt2222a.pdf
SMD Type TransistorsNPN Switching TransistorKMBT2222ASOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13 Features High current (max. 600 mA) Low voltage (max.40 V).1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 75 VCollector-emitter vol
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050