Биполярный транзистор KMBT3906DW Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KMBT3906DW
Маркировка: K3N
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT363
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KMBT3906DW Datasheet (PDF)
kmbt3906dw.pdf

SMD Type TransistorsPNP TransistorsMMBT3906DW (KMBT3906DW) Features Epitaxial planar die construction Ideal for low power amplification and switching Dual PNP Transistors Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -40 Collector - Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curren
kmbt3906.pdf

Product specificationKMBT3906(MMBT3906)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesEpitaxial planar die construction12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector- Base Voltage VCBO -40 VCollector - Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter - Base Voltage VEBO -5 VC
kmbt3906.pdf

SMD Type TransistorsPNP TransistorsKMBT3906(MMBT3906)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesEpitaxial planar die construction12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector- Base Voltage VCBO -40 VCollector - Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter - Base Volt
kmbt3906t.pdf

SMD Type TransistorsPNP TransistorsMMBT3906T (KMBT3906T)SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features Epitaxial Planar Die Construction2 1 Also Available in Lead Free Version Complementary to MMBT3904T30.30.05+0.10.5-0.11. Base2. Emitter3. Collecter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter S
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BC328-40BK | TIP539 | 15GN03MA-TL-E | GES5136 | 2SD1491 | 2SD1374 | 2SD1380
History: BC328-40BK | TIP539 | 15GN03MA-TL-E | GES5136 | 2SD1491 | 2SD1374 | 2SD1380



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130