Биполярный транзистор KMBT4403W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KMBT4403W
Маркировка: 2T
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для KMBT4403W
KMBT4403W Datasheet (PDF)
kmbt4403w.pdf
SMD Type orSMD Type TransistICsPNP Transistors MMBT4403W (KMBT4403W)FeaturesSwitching transistors. Collector Current Capability IC=-600mA Collector Emitter Voltage VCEO=-40V1 Emitter2 Base3 CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-emitter voltage VCEO -40 VCollector-base voltage VCBO -40 VEmitter-base voltage VEBO -5 V
kmbt4403.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors MMBT4403 (KMBT4403)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features3 Ideal for Medium Power Amplification and Switching Complementary NPN Type Available (MMBT4401)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitColl
kmbt4401.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors MMBT4401 (KMBT4401)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Ideal for Medium Power Amplification and Switching Complementary PNP Type Available (MMBT4403)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitColle
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
