Биполярный транзистор KMBT5089 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KMBT5089
Маркировка: 1R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Корпус транзистора: SOT23
KMBT5089 Datasheet (PDF)
kmbt5089.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBT5089 (KMBT5089)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=25V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage V
kmbt5088.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBT5088 (KMBT5088)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=30V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage V
kmbt5551.pdf
SMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorSMD Type TProduct specificationKMBT5551(MMBT5551)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra
kmbt5401.pdf
SMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorSMD Type TProduct specificationKMBT5401(MMBT5401)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-b
kmbt5551.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsKMBT5551(MMBT5551)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 180 VCollector-emitter voltage VCEO 160 V
kmbt5401.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsKMBT5401(MMBT5401)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -160 VCollector-emitter voltage VCEO -150
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050