Биполярный транзистор CZT3150 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CZT3150
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT223
- подбор биполярного транзистора по параметрам
CZT3150 Datasheet (PDF)
czt3150.pdf

CZT3150www.centralsemi.comSURFACE MOUNT NPN DESCRIPTION:SILICON POWER TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT3150 type is a NPN Silicon Power Transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, high gain, fast switching applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASEMAXIMUM RATINGS:
czt3120.pdf

CZT3120www.centralsemi.comSURFACE MOUNTNPN SILICON SWITCHINGDESCRIPTION:POWER TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT3120 NPN Switching Power Transistor, manufactured by the epitaxial planar process, combines both power and high speed switching characteristics in a SOT-223 Surface Mount Package. Typical applications include drivers, DC-DC converters, and general fast switc
czt31c.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-223 CZT31C TRANSISTOR (NPN)FEATURES Complementary to CZT32C1. BASE Power amplifier applications up to 3.0 amps.2. COLLECTOR3. EMITTERMARKING: MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 100 VVCEO Collector-Emitter
czt31c.pdf

CZT31C SOT-223 Transistor(NPN) 1. BASE SOT-2232. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features Complementary to CZT32C Power amplifier applications up to 3.0 amps. Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VVEBO Emitter-Base Voltage
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: D73FY4D2 | HEPG0007 | 2SC3770-2 | MM4002 | BSV43B | 2SC3645S | MMBT3566
History: D73FY4D2 | HEPG0007 | 2SC3770-2 | MM4002 | BSV43B | 2SC3645S | MMBT3566



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710