Биполярный транзистор CZT3150 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CZT3150
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT223
CZT3150 Datasheet (PDF)
czt3150.pdf
CZT3150www.centralsemi.comSURFACE MOUNT NPN DESCRIPTION:SILICON POWER TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT3150 type is a NPN Silicon Power Transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, high gain, fast switching applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASEMAXIMUM RATINGS:
czt3120.pdf
CZT3120www.centralsemi.comSURFACE MOUNTNPN SILICON SWITCHINGDESCRIPTION:POWER TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT3120 NPN Switching Power Transistor, manufactured by the epitaxial planar process, combines both power and high speed switching characteristics in a SOT-223 Surface Mount Package. Typical applications include drivers, DC-DC converters, and general fast switc
czt31c.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-223 CZT31C TRANSISTOR (NPN)FEATURES Complementary to CZT32C1. BASE Power amplifier applications up to 3.0 amps.2. COLLECTOR3. EMITTERMARKING: MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 100 VVCEO Collector-Emitter
czt31c.pdf
CZT31C SOT-223 Transistor(NPN) 1. BASE SOT-2232. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features Complementary to CZT32C Power amplifier applications up to 3.0 amps. Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VVEBO Emitter-Base Voltage
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050