CZT5401E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CZT5401E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 220 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT5401E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT5401E даташит

 ..1. Size:534K  central
 czt5401e.pdf pdf_icon

CZT5401E

CZT5401E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage. MARKING FULL PART NUMBER FEATURES High Collector Breakdown Voltage 250V SOT-223 CASE SOT-223

 7.1. Size:614K  secos
 czt5401.pdf pdf_icon

CZT5401E

CZT5401 PNP Transistor Elektronische Bauelemente Epitaxial Planar Transistor RoHS Compliant Product SOT-223 Description The CZT5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 4 0 1 D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date Code E 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3

 7.2. Size:604K  jiangsu
 czt5401.pdf pdf_icon

CZT5401E

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-223 CZT5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE High Voltage High Voltage Amplifier Application 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -160 V CBO V Collector-Emitter Voltage -150 V CEO V

 7.3. Size:313K  kexin
 czt5401.pdf pdf_icon

CZT5401E

SMD Type Transistors PNP Transistors CZT5401 (KZT5401) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 High Voltage High Voltage Amplifier Application 1 2 3 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -160 Coll

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CV7775, CV7725, CV7727, CV7738, CV7764, CV7764L-O, CZT3120, CZT3150, D965, CZT5551E, CZT5551HC, CZT651, CZT7090L, CZT7090LE, CZT7120, CZT751, CPH5901