CZT751. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CZT751

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT751

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT751 даташит

 ..1. Size:527K  central
 czt751.pdf pdf_icon

CZT751

CZT751 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT751 type is a PNP Silicon Transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Coll

Другие транзисторы: CZT3150, CZT5401E, CZT5551E, CZT5551HC, CZT651, CZT7090L, CZT7090LE, CZT7120, BC639, CPH5901, CPH5902, CPH5905, CS684, CSA1162, CSC2712, CXT3090L, CXT3150