CXT3090L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CXT3090L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для CXT3090L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CXT3090L даташит

 ..1. Size:354K  central
 cxt3090l.pdf pdf_icon

CXT3090L

CXT3090L www.centralsemi.com SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) DESCRIPTION NPN SILICON POWER TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3090L is a Low VCE(SAT) NPN Transistor in a Power SOT-89 surface mount package, designed for DC-DC converters for mobile systems and LAN cards, motor control, power management and strobe flash units. MARKING FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: CZT7120, CZT751, CPH5901, CPH5902, CPH5905, CS684, CSA1162, CSC2712, 2SC828, CXT3150, CXT3410, CXT3820, CXT491E, CXT5401E, CXT5551E, CXT5551HC, CXT591E