CXT3820 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXT3820

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для CXT3820

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CXT3820 даташит

 ..1. Size:356K  central
 cxt3820.pdf pdf_icon

CXT3820

CXT3820 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3820 is a very low VCE(SAT) NPN transistor designed for applications where electrical and thermal efficiency are prime requirements. Packaged in an industry standard SOT-89 case, this device brings updated electrical specifications and characteristics suita

Другие транзисторы: CPH5902, CPH5905, CS684, CSA1162, CSC2712, CXT3090L, CXT3150, CXT3410, TIP32C, CXT491E, CXT5401E, CXT5551E, CXT5551HC, CXT591E, CXT7090L, CXT7410, CXT7820