CXT5401E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXT5401E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 220 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для CXT5401E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CXT5401E даташит

 ..1. Size:290K  central
cxt5401e.pdfpdf_icon

CXT5401E

CXT5401E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5401E is a PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage. MARKING FULL PART NUMBER FEATURES High Collector Breakdown Voltage 250V SOT-89 CASE Low L

 7.1. Size:1586K  jiangsu
cxt5401.pdfpdf_icon

CXT5401E

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors CXT5401 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURE 1. BASE Switching and amplification in high voltage 1 1 Applications such as telephony Low current(max. 500mA) 2 2 2. COLLECTOR High voltage(max.160v) 3 3. EMITTER 5401 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwi

 7.2. Size:608K  htsemi
cxt5401.pdfpdf_icon

CXT5401E

CXT5401 TRANSISTOR (PNP) SOT-89 FEATURE Switching and amplification in high voltage 1. BASE Applications such as telephony 1 1 Low current(max. 500mA) High voltage(max.160v) 2 2 2. COLLECTOR 3 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -160 V VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V

 7.3. Size:1165K  kexin
cxt5401.pdfpdf_icon

CXT5401E

SMD Type Transistors PNP Transistors CXT5401 (KXT5401) Features 1.70 0.1 Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony Low current(max. 500mA) High voltage(max.160v) 0.42 0.1 0.46 0.1 Comlementary to CXT5551 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base V

Другие транзисторы: CS684, CSA1162, CSC2712, CXT3090L, CXT3150, CXT3410, CXT3820, CXT491E, D882P, CXT5551E, CXT5551HC, CXT591E, CXT7090L, CXT7410, CXT7820, RN2609, CTLM3410-M832D