Справочник транзисторов. CTLT953-M833S

 

Биполярный транзистор CTLT953-M833S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CTLT953-M833S
   Маркировка: CHA4S
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TLM833S

 Аналоги (замена) для CTLT953-M833S

 

 

CTLT953-M833S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  central
ctlt953-m833s.pdf

CTLT953-M833S
CTLT953-M833S

CTLT953-M833Swww.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT953-M833S is a high performance 5.0A high current PNP transistor designed for applications where small size and operational efficiency are prime requirements. With a maximum power dissipation of 4.5W, and a very small package footprint, this device is 80

 2.1. Size:596K  central
ctlt953-m833.pdf

CTLT953-M833S
CTLT953-M833S

CTLT953-M833www.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT953-M833 is a high performance 5.0A High Current PNP Transistor designed for applications where small size and operational efficiency are prime requirements. With a maximum power dissipation of 4.5W, and a very small package footprint, this device is 80%

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top