2N6674 - описание и поиск аналогов

 

2N6674. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6674

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N6674

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6674 даташит

 ..1. Size:149K  jmnic
2n6674.pdfpdf_icon

2N6674

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6674 2N6675 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high speed APPLICATIONS Switching regulators Inverters Solenoid and relay drivers Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL P

 ..2. Size:60K  microsemi
2n6674 2n6675 2n6689 2n6690.pdfpdf_icon

2N6674

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/537 Devices Qualified Level JAN 2N6674 2N6675 2N6689 2N6690 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N6674 2N6675 Unit 2N6689 2N6690 Collector-Emitter Voltage 300 400 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCBO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VE

 ..3. Size:177K  aeroflex
2n6674 2n6675.pdfpdf_icon

2N6674

NPN High Power Silicon Transistors 2N6674 & 2N6675 Features Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/537 TO-3 (TO-204AA) Package Maximum Ratings Ratings Symbol 2N6674 2N6675 Units Collector - Emitter Voltage VCEO 300 400 Vdc Collector - Base Voltage VCBO 450 650 Vdc Collector - Base Voltage VCBX 450 650 Vdc Emitter - Base Voltage VEBO 7.0 Vdc Base Current IB 5.

 ..4. Size:176K  inchange semiconductor
2n6674 2n6675.pdfpdf_icon

2N6674

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors 2N6674/6675 DESCRIPTION High Power Dissipation High Switching Speed Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 300V(Min)- 2N6674 = 400V(Min)- 2N6675 APPLICATIONS Designed for high voltage switching applications such as Switching regulators Inverters Solenoid and relay d

Другие транзисторы: 2N6666, 2N6667, 2N6668, 2N6669, 2N6670, 2N6671, 2N6672, 2N6673, 2SC1815, 2N6675, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2N6686, 2N6687, 2N6688, 2N6689

 

 

 

 

↑ Back to Top
.