Биполярный транзистор BUX85G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BUX85G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO220
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BUX85G Datasheet (PDF)
bux85g.pdf

BUX85GSwitchmode NPN SiliconPower TransistorsThe BUX85G is designed for high voltage, high speed powerswitching applications like converters, inverters, switching regulators,motor control systems.www.onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*2.0 AMPERESPOWER TRANSISTORNPN SILICONMAXIMUM RATINGS450 VOLTS, 50 WATTSRating Symbol Value Uni
bux85rev.pdf

Order this documentMOTOROLAby BUX85/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUX85SWITCHMODE2 AMPERESNPN Silicon Power TransistorsPOWER TRANSISTORNPN SILICONThe BUX85 is designed for high voltage, high speed power switching applications450 VOLTSlike converters, inverters, switching regulators, motor control systems.50 WATTSSPECIFICATIONS FEATURES: VCEO(sus) 450 V VCES(
bux85f.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUX85FDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage,high-speed,power switchingregulators,converters,inverters,motor control system.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25
bux84 bux85.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUX84 BUX85 DESCRIPTION With TO-220C package High switching speed APPLICATIONS Suitable for switching power supplies in TV sets PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolut maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SD1373 | TIP539 | 2SD1491 | GES5136 | 15GN03MA-TL-E | 2SD1380 | 2SD1374
History: 2SD1373 | TIP539 | 2SD1491 | GES5136 | 15GN03MA-TL-E | 2SD1380 | 2SD1374



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087