2DI150A-120. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2DI150A-120
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 150 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: M207
Аналоги (замена) для 2DI150A-120
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2DI150A-120 даташит
2di150a-120.pdf
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 2DI150A-120 (150A) Outline Drawings POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANS
Другие транзисторы... 2DI75D-100 , 2DI75M-120 , 2DI75Z-120 , 2DI100A-120 , 2DI100D-050 , 2DI100D-100 , 2DI100Z-100 , 2DI100Z-120 , 2SB817 , 2DI150D-050 , 2DI150D-100 , 2DI150Z-100 , 2DI150Z-120 , 2DI200A-050 , 2DI200D-100 , RN4993HFE , EMT1DXV6 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830