BC517G - описание и поиск аналогов

 

BC517G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC517G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30000

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC517G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC517G даташит

 9.1. Size:206K  motorola
bc517rev.pdfpdf_icon

BC517G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC517/D Darlington Transistors NPN Silicon BC517 COLLECTOR 1 BASE 2 EMITTER 3 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 17 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCES 30 Vdc Collector Base Voltage VCB 40 Vdc Emitter Base Voltage VEB 10 Vdc Collector Current Continuous IC

 9.2. Size:43K  philips
bc517.pdfpdf_icon

BC517G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC517 NPN Darlington transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistor BC517 FEATURES PINNING High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V) 1 emitter Very high DC current gain (min. 30000). 2

 9.3. Size:49K  philips
bc517 4.pdfpdf_icon

BC517G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC517 NPN Darlington transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistor BC517 FEATURES PINNING High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V) 1 emitter Very high DC current gain (min. 30000). 2

 9.4. Size:27K  fairchild semi
bc517.pdfpdf_icon

BC517G

January 2005 BC517 NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A. Sourced from process 05. TO-92 1 1. Collector 2. Base 3. Emitter Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emi

Другие транзисторы... BC328-16BK , BC328-25BK , BC328-40BK , BC477B , BC477DCSM , BC477XDCSM , BC477YCSM , BC477YDCSM , B647 , BC337-16BK , BC337-25BK , BC337-40BK , BC338-16BK , BC338-25BK , BC338-40BK , BC546ABK , BC546BBK .

History: BC328-25BK

 

 

 


 
↑ Back to Top
.