BC517G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC517G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30000
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BC517G
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC517G даташит
bc517rev.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC517/D Darlington Transistors NPN Silicon BC517 COLLECTOR 1 BASE 2 EMITTER 3 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 17 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCES 30 Vdc Collector Base Voltage VCB 40 Vdc Emitter Base Voltage VEB 10 Vdc Collector Current Continuous IC
bc517.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC517 NPN Darlington transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistor BC517 FEATURES PINNING High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V) 1 emitter Very high DC current gain (min. 30000). 2
bc517 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC517 NPN Darlington transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistor BC517 FEATURES PINNING High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V) 1 emitter Very high DC current gain (min. 30000). 2
bc517.pdf
January 2005 BC517 NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A. Sourced from process 05. TO-92 1 1. Collector 2. Base 3. Emitter Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emi
Другие транзисторы... BC328-16BK , BC328-25BK , BC328-40BK , BC477B , BC477DCSM , BC477XDCSM , BC477YCSM , BC477YDCSM , B647 , BC337-16BK , BC337-25BK , BC337-40BK , BC338-16BK , BC338-25BK , BC338-40BK , BC546ABK , BC546BBK .
History: BC328-25BK
History: BC328-25BK
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003







