BC558BBK. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC558BBK
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BC558BBK
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC558BBK даташит
bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf
BC556xBK ... BC559xBK BC556xBK ... BC559xBK General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors PNP PNP Si-Epitaxial Planar-Transistoren f r universellen Einsatz Version 2009-12-07 0.1 Power dissipation Verlustleistung 500 mW 4.6 Plastic case TO-92 Kunststoffgeh use (10D3) Weight approx. Gewicht ca. 0.18 g C B E Plastic material has UL classification 94V-0 Geh usematerial
bc556abu bc556ata bc556bta bc556btf bc556btfr bc557ata bc557bta bc557btf bc558bta bc559bta bc559cta bc560cta.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf
BC556B, BC557A, B, C, BC558B Amplifier Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS 2 BASE Rating Symbol Value Unit Collector - Emitter Voltage VCEO Vdc 3 BC556 -65 EMITTER BC557 -45 BC558 -30 Collector - Base Voltage VCBO Vdc BC556 -80 BC557 -50 BC558 -30 TO-92 Emitter - Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE
bc556 bc557 bc558.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC556/D Amplifier Transistors BC556,B PNP Silicon BC557A,B,C COLLECTOR BC558B 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 2 BC BC BC 3 556 557 558 Rating Symbol Unit CASE 29 04, STYLE 17 Collector Emitter Voltage VCEO 65 45 30 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 80 50 30 Vdc
Другие транзисторы... BC549CBK , BC556ABK , BC556BBK , BC556C , BC557ABK , BC557BBK , BC557CBK , BC558ABK , 13007 , BC558CBK , BC559BBK , BC559CBK , BC107DCSM , BC108DCSM , BC109DCSM , BC177CSM , BC177DCSM .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050











