2N6709 - описание и поиск аналогов

 

2N6709. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6709

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2N6709

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6709 даташит

 9.1. Size:132K  cdil
2n6707.pdfpdf_icon

2N6709

Continental Device India Limited An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 2N6707 TO-237 Plastic Package General Purpose Medium Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Base Voltage VCBO 100 V Collector Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter Base Voltage VEBO 5V Collector Current Continuous IC 1.

 9.2. Size:67K  cdil
2n6705.pdfpdf_icon

2N6709

Continental Device India Limited An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 2N6705 TO-237 Plastic Package General Purpose Medium Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5V Collector Current Continuous IC 1

 9.3. Size:118K  inchange semiconductor
2n6702.pdfpdf_icon

2N6709

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6702 DESCRIPTION With TO-220 package Fast switching speed Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for converters,inverters, pulse-width-modulated regulators and a variety of power switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting b

 9.4. Size:196K  inchange semiconductor
2n6703.pdfpdf_icon

2N6709

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2N6703 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators and a variety of power switc

Другие транзисторы: 2N6701, 2N6702, 2N6703, 2N6704, 2N6705, 2N6706, 2N6707, 2N6708, 2SC2655, 2N671, 2N6710, 2N6711, 2N6712, 2N6713, 2N6714, 2N6715, 2N6716

 

 

 

 

↑ Back to Top
.