Аналоги 2SAR513R. Основные параметры
Наименование производителя: 2SAR513R
Маркировка: MC
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SC96
Аналоги (замена) для 2SAR513R
2SAR513R даташит
2sar513r.pdf
2SAR513R Datasheet PNP -1.0A -50V Middle Power Transistor lOutline l SOT-346T Parameter Value SC-96 VCEO -50V IC -1A TSMT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Suitable for Middle Power Driver 2)Complementary NPN Types 2SCR513R 3)Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-500A/-25mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH
2sar513p5.pdf
2SAR513P5 Datasheet Middle Power Transistors(-50V / -1A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -1A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-500mA/-25mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging spe
2sar513p.pdf
Midium Power Transistors (-50V / -1A) 2SAR513P Structure Dimensions (Unit mm) PNP Silicon epitaxial planar transistor Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -500mA / -25mA) (1) (2) (3) 2) High speed switching Applications Abbreviated symbol MC Driver Packaging specifications Inner circuit (Unit mm) Package T
2sar513pfra.pdf
2SAR513P 2SAR513PFRA Datasheet PNP -1.0A -50V Middle Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -50V Base IC Collector -1.0A Emitter 2SAR513P 2SAR513PFRA lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2SCR513PFRA 2) Complementary NPN Types 2SCR513P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V(Max.) (IC/IB= -500mA/ -25mA) 4) Lead F
Другие транзисторы... 2SA950-O , 2SA950-Y , 2SAR293PFRA , 2SAR502EB , 2SAR502UB , 2SAR512PFRA , 2SAR512R , 2SAR513PFRA , BC549 , 2SAR514PFRA , 2SAR533PFRA , 2SAR542F3 , 2SAR542PFRA , 2SAR544PFRA , 2SAR552PFRA , 2SAR553PFRA , 2SAR553R .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115




