2SB1198KFRA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SB1198KFRA
Маркировка: QR
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SC59
Аналоги (замена) для 2SB1198KFRA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB1198KFRA даташит
2sb1198kfra.pdf
Transistors AEC-Q101 Qualified Low-frequency Transistor (*80V, *0.5A) 2SB1198KFRA 2SB1198K FFeatures FExternal dimensions (Unit s mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC / IB = *0.5A / *50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = *80V 2SD1782KFRA 3) Complements the 2SD1782K. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FE
2sb1198k.pdf
Transistors Low-frequency Transistor (*80V, *0.5A) 2SB1198K FFeatures FExternal dimensions (Unit s mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC / IB = *0.5A / *50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = *80V 3) Complements the 2SD1782K. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor SOT-89 FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FElectrical characteristics (Ta = 25_C)
2sb1198k sot-23-3l.pdf
2SB1198K SOT-23-3L Transistor(PNP) 1. BASE SOT-23-3L 2. EMITTER 2.92 3. COLLECTOR 0.35 1.17 Features 2.80 1.60 Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC=-0.5A,IB=-50mA) High breakdown voltage BVCEO=-80V Complements the 2SD1782K 0.15 1.90 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collect
2sb1198k.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1198K SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=-0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=-80V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 Complementary to 2SD1782K +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec
Другие транзисторы: 2SAR573DFHG, 2SAR574D, 2SB1188GP, 2SB1188K, 2SB1197KGP, 2SB1197-P, 2SB1197-Q, 2SB1197-R, D667, 2SB1132GP, 2SB1182GP, 2SB1182P, 2SB1182Q, 2SB1182R, 2SB1184P, 2SB1184Q, 2SB1184R
History: 2SC4448 | BFJ51
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775




