INA6001AP1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: INA6001AP1

Маркировка: BG

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для INA6001AP1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

INA6001AP1 даташит

 ..1. Size:134K  isahaya
 ina6001ap1.pdf pdf_icon

INA6001AP1

PRELIMINARY INA6001AP1 Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INA6001AP1 is a silicon PNP transistor. 4.6 MAX It is designed with high voltage. 1.5 1.6 FEATURE Small package for easy mountin

 6.1. Size:106K  isahaya
 ina6001ac1.pdf pdf_icon

INA6001AP1

INA6001AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA6001AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

 8.1. Size:157K  isahaya
 ina6006ac1.pdf pdf_icon

INA6001AP1

INA6006AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA6006AC1 is a silicon PNP transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high voltage. FEATURE Small package for easy mounting. High voltage VCE

 8.2. Size:107K  isahaya
 ina6005ac1.pdf pdf_icon

INA6001AP1

INA6005AC1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA6005AC1 is a silicon PNP transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high voltage. FEATURE Super mini package for easy mounting High voltage VCEO=-400V APPLICATION DC/DC convertor, High voltage switching Terminal Connector J

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1184Q, 2SB1184R, 2SB0950, 2SB0950A, 2SB1073Q, 2SB1073R, INA1001AC1, INA6001AC1, BC548, INA6002AC1, INA6005AC1, INA6005AP1, INA6006AC1, INA6006AP1, INA6006AS1, KZT949, KZT951