HLB121. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HLB121

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для HLB121

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HLB121 даташит

 ..1. Size:130K  utc
 hlb121.pdf pdf_icon

HLB121

UTC HLB121 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HLB121 is a medium power transistor designed for use in switching applications. FEATURES 1 * High breakdown voltage * Low collector saturation voltage * Fast switching speed TO-251 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER *Pb-free plating product number HLB121L

 0.1. Size:44K  hsmc
 hlb121i.pdf pdf_icon

HLB121

Spec. No. HE9027 HI-SINCERITY Issued Date 1996.11.06 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121I NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121I is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-251 Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switching s

 0.2. Size:47K  hsmc
 hlb121a.pdf pdf_icon

HLB121

Spec. No. HA200112 HI-SINCERITY Issued Date 2001.04.01 Revised Date 2007.09.29 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121A NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121A is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-92 Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fa

 0.3. Size:38K  hsmc
 hlb121d.pdf pdf_icon

HLB121

Spec. No. HD200205 HI-SINCERITY Issued Date 2002.05.01 Revised Date 2005.08.16 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121D NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121D is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-126ML Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KZT949, KZT951, KZT953, INC1001AC1, INC2001AC1, INC2001AM1, INC2001AU1, HIT1577, 2N3906, HN1B01FDW1T1G, HN2E04F, HN4B101J, HN4B102J, HQ1A3M, HQ1A4A, HQ1F2Q, HQ1F3M