HR1F3P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HR1F3P

Маркировка: MQ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для HR1F3P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HR1F3P даташит

 ..1. Size:391K  renesas
 hr1a3m hr1f3p hr1l3n hr1a4m hr1l2q hr1f2q hr1a4a.pdf pdf_icon

HR1F3P

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы: HQ1F3M, HQ1F3P, HQ1L2N, HQ1L2Q, HR1A3M, HR1A4A, HR1A4M, HR1F2Q, A940, HR1L2Q, HR1L3N, KZT591, KZT649, KZT749, KZT789A, KZT849, KZT851