Биполярный транзистор ISA1284AS1 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: ISA1284AS1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: SC72
- подбор биполярного транзистора по параметрам
ISA1284AS1 Datasheet (PDF)
isa1284as1.pdf

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1284AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1284AS1 is a silicon PNP epitaxial type transistor 4.0 designed for high voltage application. Complementary with ISC3244AS1. FEATURE 0.1 High voltage VCEO=-100V High peak collector current. ICM=-800mA 0.45
isa1287as1.pdf

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1287AS1 FOR RELAY DRIVE, POWOR SUPPLY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1287AS1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 4.0 Designed with high voltage, high collector current, dissipation and high hFE. Complementary with ISC3247AS1. 0.1 FEATURE High hFE hFE=400 to 800 0.45
isa1283as1.pdf

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1283AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1283AS1 is a silicon PNP epitaxial type transistor 4.0 designed for relay drive or power supply application. Complementary with 2SC5482. FEATURE 0.1 High voltage VCEO=-60V High collector current. IC=-1A 0.
isa1286as1.pdf

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1286AS1 FOR SMALL TYPE MOTOR, PLUNGER DRIVE APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1286AS1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 4.0 Designed with high collector current and high hFE. Complementary with 2SC5484. FEATURE 0.1 High hFE hFE=400 to 800 High collector current. (IC=-1.5
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: RT1P430C | D64TS5 | DMC96404 | BF460EA | BU931ZP | 2SD1074 | ESM2894
History: RT1P430C | D64TS5 | DMC96404 | BF460EA | BU931ZP | 2SD1074 | ESM2894



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220