IMD3AFRA - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

IMD3AFRA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IMD3AFRA
   Маркировка: D3
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC74

 Аналоги (замена) для IMD3AFRA

 

IMD3AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1440K  rohm
 emd3fha umd3nfha imd3afra.pdf pdf_icon

IMD3AFRA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRA EMD3 / UMD3N / IMD3A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (5) (6) (4) (5) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMD3 EMD3FHA UMD3NFHA UMD3N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 10kW SMT6 (4)

 9.1. Size:98K  rohm
 emd3 umd3n imd3a umd3n.pdf pdf_icon

IMD3AFRA

EMD3 / UMD3N / IMD3A Transistors General purpose (Dual digital transistors) EMD3 / UMD3N / IMD3A Dimensions (Unit mm) Features 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a EMT EMD3 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interfer

 9.2. Size:92K  rohm
 umd3n imd3a d3 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMD3AFRA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD3N / IMD3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxi

Другие транзисторы... ISA2166AU1 , ISA2188AM1 , ISA2188AU1 , ISB1035AS1 , IMB2AFRA , IMB3AFRA , IMD10AMT1G , IMD2AFRA , BDT88 , IMD6AFRA , IMD9AFRA , IMH11AFRA , IMH14AFRA , IMH15A , IMH15AFRA , IMH1AFRA , IMH20TR1G .

History: SUR551H | 2SA1204 | MMUN2131LT1G | TRF464A | 2SC1936 | LDTA143EET1G | NST856BF3T5G

 

 
Back to Top

 


 
.