IMD6AFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMD6AFRA  📄📄 

Маркировка: D6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMD6AFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMD6AFRA даташит

 ..1. Size:1314K  rohm
 emd6fha umd6nfha imd6afra.pdf pdf_icon

IMD6AFRA

EMD6 / UMD6N / IMD6A EMD6FHA / UMD6NFHA / IMD6AFRA Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA (3) (3) R1 4.7kW EMD6FHA UMD6NFHA EMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

 9.1. Size:67K  rohm
 emd6 umd6n imd6a umd6n.pdf pdf_icon

IMD6AFRA

EMD6 / UMD6N / IMD6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD6 / UMD6N / IMD6A Features External dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT EMD6 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, elimin

 9.2. Size:66K  rohm
 umd6n imd6a d6 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMD6AFRA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD6N / IMD6A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure A PNP a

Другие транзисторы: ISA2188AM1, ISA2188AU1, ISB1035AS1, IMB2AFRA, IMB3AFRA, IMD10AMT1G, IMD2AFRA, IMD3AFRA, BD222, IMD9AFRA, IMH11AFRA, IMH14AFRA, IMH15A, IMH15AFRA, IMH1AFRA, IMH20TR1G, IMH21