IMH21 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMH21  📄📄 

Маркировка: H21

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMH21

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMH21 даташит

 ..1. Size:409K  rohm
 imh21.pdf pdf_icon

IMH21

IMH21 Datasheet NPN 600mA 20V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (5) VCEO 20V (6) (3) VEBO 12V (2) (1) IC 600mA IMH21 R1 10kW SOT-457 (SC-74) lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC614T chips in one package. 3) Low saturation voltage, typically VCE(sat) =40mV at IC / IB=50

Другие транзисторы: IMD6AFRA, IMD9AFRA, IMH11AFRA, IMH14AFRA, IMH15A, IMH15AFRA, IMH1AFRA, IMH20TR1G, C945, IMH23, IMH2AFRA, IMH3AFRA, IMH4AFRA, IMH5AFRA, INC6001AC1, INC6002AC1, INC6005AC1