IMH23 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMH23  📄📄 

Маркировка: H23

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMH23

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMH23 даташит

 ..1. Size:483K  rohm
 imh23.pdf pdf_icon

IMH23

US6H23 / IMH23 Datasheet NPN 600mA 20V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline TUMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (4) (5) (5) VCEO (6) 20V (6) (3) (3) VEBO 12V (2) (2) (1) (1) IC 600mA IMH23 US6H23 R1 4.7kW SOT-457 (SC-74) lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC643T chips in one package. 3) Low

Другие транзисторы: IMD9AFRA, IMH11AFRA, IMH14AFRA, IMH15A, IMH15AFRA, IMH1AFRA, IMH20TR1G, IMH21, C1815, IMH2AFRA, IMH3AFRA, IMH4AFRA, IMH5AFRA, INC6001AC1, INC6002AC1, INC6005AC1, INC6005AP1