Биполярный транзистор IMT3AFRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: IMT3AFRA
Маркировка: T3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC74
IMT3AFRA Datasheet (PDF)
emt3fha imt3afra.pdf
EMT3FHA / IMT3AFRAEMT3 / IMT3A TransistorsAEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) EMT3 / IMT3A EMT3FHA / IMT3AFRA External dimensions (Unit : mm) Features1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or SMT package. 2SA1037AKFRAEMT3FHAEMT3 Equivalent circuits(4) (3)( ) ( )5 2EMT3FHA IMT3AFRAEMT3 IMT3A( ) ( )6 11.2(3) (2) (1) (4) (5) (6)1.6Tr2 Tr2
emt3 imt3a.pdf
EMT3 / IMT3A Transistors General purpose (dual transistors) EMT3 / IMT3A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or SMT package. EMT3 Equivalent circuits ( ) ( )4 3(5) (2)EMT3 IMT3A( ) ( )6 11.2(3) (2) (1) (4) (5) (6)1.6Tr2 Tr2Tr1 Tr1(4) (5) (6) (3) (2) (1)Each lead has same dimensions ROHM : EMT6IMT3A Absolute
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050