IMT4FRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMT4FRA  📄📄 

Маркировка: T4

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMT4FRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMT4FRA даташит

 ..1. Size:921K  rohm
 imt4fra.pdf pdf_icon

IMT4FRA

IMT4FRA IMT4 Transistors AEC-Q101 Qualified General purpose (dual transistors) IMT4 IMT4FRA External dimensions (Unit mm) Features 2SA1514KFRA 1) Two 2SA1514K chips in an AMT package. 2) High breakdown voltage. IMT4FRA IMT4 1.6 Package, marking, and Packaging specifications 2.8 Part No. IMT4FRA IMT4 Package SMT6 0.3Min. Each lead has same dimensions Marking T4 ROHM

Другие транзисторы: INC6008AP1, IMH6AFRA, IMH8AFRA, IMH9AFRA, IMT18, IMT1AFRA, IMT2AFRA, IMT3AFRA, 2SD718, IMX25, IMX2FRA, INC5001AC1, INC5001AP1, INC5002AP1, INC5003AH1, INC5004AC1, INC5004AP1