Биполярный транзистор IMT4FRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: IMT4FRA
Маркировка: T4
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SC74
IMT4FRA Datasheet (PDF)
..1. Size:921K rohm
imt4fra.pdf
imt4fra.pdf
IMT4FRAIMT4TransistorsAEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) IMT4IMT4FRA External dimensions (Unit : mm) Features2SA1514KFRA1) Two 2SA1514K chips in an AMT package. 2) High breakdown voltage. IMT4FRAIMT41.6 Package, marking, and Packaging specifications 2.8Part No. IMT4FRAIMT4Package SMT6 0.3Min.Each lead has same dimensionsMarking T4ROHM
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: INC6006AS1 | 2SC1523
History: INC6006AS1 | 2SC1523
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050