IMX8FRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMX8FRA  📄📄 

Маркировка: X8

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMX8FRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMX8FRA даташит

 ..1. Size:922K  rohm
 imx8fra.pdf pdf_icon

IMX8FRA

IMX8FRA IMX8 Transistors AEC-Q101 Qualified General purpose (dual transistors) IMX8 IMX8FRA Features External dimensions (Unit mm) 1) Two 2SC3906K chips in an SMT package. 2SC3906KFRA 2) High breakdown voltage. Package, marking, and packaging specifications Part No. IMX8 IMX8FRA 1.6 Package SMT6 2.8 Marking X8 Code T108 0.3Min. Basic ordering unit (pieces) 3000 Ea

Другие транзисторы: INC5001AC1, INC5001AP1, INC5002AP1, INC5003AH1, INC5004AC1, INC5004AP1, INC5006AC1, IMX3FRA, BD335, IMZ1AFRA, IMZ2AFRA, IMZ88, KRC152F, KRC157F, KRC158F, KTA1050, INA5001AC1