Биполярный транзистор IMX8FRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: IMX8FRA
Маркировка: X8
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SC74
IMX8FRA Datasheet (PDF)
..1. Size:922K rohm
imx8fra.pdf
imx8fra.pdf
IMX8FRAIMX8Transistors AEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) IMX8IMX8FRA Features External dimensions (Unit : mm)1) Two 2SC3906K chips in an SMT package. 2SC3906KFRA2) High breakdown voltage. Package, marking, and packaging specifications Part No. IMX8IMX8FRA1.6Package SMT62.8Marking X8Code T1080.3Min.Basic ordering unit (pieces) 3000Ea
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050