INC2002AM1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: INC2002AM1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для INC2002AM1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

INC2002AM1 даташит

 6.1. Size:114K  isahaya
 inc2002a.pdf pdf_icon

INC2002AM1

 8.1. Size:121K  isahaya
 inc2001a.pdf pdf_icon

INC2002AM1

Другие транзисторы: INA5001AC1, INA5001AP1, INA5002AC1, INA5002AP1, INA5005AC1, INA5006AC1, INA5008AH1, INC2002AC1, 9014, INC2002AU1, KZT1053A, KZT1149A, KZT1151A, KZT122, KZT127, KZT2222A, KZT2907A