TTA006B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TTA006B  📄📄 

Маркировка: A006B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126N

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TTA006B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTA006B даташит

 ..1. Size:602K  toshiba
 tta006b.pdf pdf_icon

TTA006B

TTA006B PNP TTA006B TTA006B TTA006B TTA006B 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) VCEO = -230 V ( ) (2) Cob = 30 pF ( ) (3)

 9.1. Size:183K  toshiba
 tta004b.pdf pdf_icon

TTA006B

TTA004B Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type TTA004B TTA004B TTA004B TTA004B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Audio-Frequency Amplifiers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High collector voltage VCEO = -160 V (min) (2) Complementary to TTC004B (3) Small collector output capacitance Cob = 17 pF (typ.) (4) High tran

 9.2. Size:219K  toshiba
 tta009.pdf pdf_icon

TTA006B

TTA009 Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type TTA009 TTA009 TTA009 TTA009 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Amplifiers Power Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low collector saturation voltage VCE(sat) = -0.5 V (max) (IC = -1 A, IB = -100 mA) (2) High-speed switching tstg = 300 ns (typ.) (IC = -1

 9.3. Size:313K  toshiba
 tta008b.pdf pdf_icon

TTA006B

TTA008B Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type TTA008B TTA008B TTA008B TTA008B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Amplifiers Power Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 100 to 200 (IC = -0.5 A) (2) Low collector emitter saturation voltage VCE(sat) = -0.5 V (max) (IC = -1A)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KXT2907A, KXT5401, KXT5551, KXTP2013, KZT1048A, KZT1049A, KTC9012SC, TTA005, BC549, TTA008B, TTA009, TTA1452B, TTB1020B, TTB1067B, KTC143ZKA, KTC2316, KTC9013SC