KTA1267-GR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTA1267-GR
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: TO92S
Аналоги (замена) для KTA1267-GR
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTA1267-GR даташит
kta1267-gr-o-y.pdf
MCC KTA1267-O Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth KTA1267-Y Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 KTA1267-GR Fax (818) 701-4939 Features Excellent hFE Linearity hFE(0.1mA)/hFE(2.0mA)=0.95(Typ) PNP General Low Noise NF=1.0dB(Typ.), 10dB(Max.) Complementary to KTC3199 Purpose Application Marking A1267 Epox
kta1267.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1267 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION SWITCHING APPLICATION. B FEATURES Excellent hFE Linearity hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX Complementary to KTC3199. _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00 0.50 H 0.60
kta1266.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1266 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES Excellent hFE Linearity hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.). Low Noise NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. Complementary to KTC3198. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -50 V Collecto
kta1266a.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1266A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.). N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX Low Noise NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. E K B 4.80 MAX G Complementary to KTC3198A. C 3.70 MAX D D 0.45 E
Другие транзисторы: TA114ECA, TA124ECA, TA143ECA, TA144ECA, TB100, TCC598, TCSA562O, TCSA562Y, BD333, KTA1267-O, KTA1267-Y, KTA1270-O, KTA1270-Y, KTA1504-GR, KTA1504LT1, KTA1504-O, KTA1504-Y
History: RT5N141C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645










