KTA1504LT1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTA1504LT1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для KTA1504LT1
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTA1504LT1 даташит
kta1504lt1.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1504LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR General purpose application Package SOT-23 * Complement to KTC3875LT1 * Collector Current Ic=-150mA * low noise NF=10db(max) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo -50 V Collector-Emitter Voltag
kta1504-gr-o-y.pdf
MCC KTA1504-O Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components KTA1504-Y CA 91311 Phone (818) 701-4933 KTA1504-GR Fax (818) 701-4939 Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" PNP Silicon Complementary to KTC3875 Low Noise Epitaxial Transistors Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Mo
kta1504.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors KTA1504 TRANSISTOR (PNP) SOT 23 FEATURES Complementary to KTC3875 Low Noise Excellent hFE Linearity 1. BASE 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. COLLECTOR Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -50 V CBO V Collector
kta1504s.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1504S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). E 2.40+0.30/-0.20 1 Complementary to KTC3875S. G 1.9
Другие транзисторы: TCSA562O, TCSA562Y, KTA1267-GR, KTA1267-O, KTA1267-Y, KTA1270-O, KTA1270-Y, KTA1504-GR, BD139, KTA1504-O, KTA1504-Y, KTA1664-O, KTA1664-Y, TFS1036, TFS1576, TFS2411, TFS2444
History: LDTB114GKT1G | 2SC540 | KTA1504-Y | 2SC3569
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent









