Биполярный транзистор KTC3876-Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTC3876-Y
Маркировка: WG
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для KTC3876-Y
KTC3876-Y Datasheet (PDF)
ktc3876-gr-y.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTMKTC3876-Y20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311KTC3876-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features High hFE and Low NoiseEpitaxial Planar Complementary to KTA1505 Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates NPN Transistors RoHS Compliant. See ordering information) Halo
ktc3876.pdf
KTC3876 0.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURE A High hFE L Complementary to KTA1505 33Top View C B1CLASSIFICATION OF hFE 1 22K EProduct-Rank KTC3876-O KTC3876-Y KTC3876-GR DRange 70~140 120~240 200~400 H JF GMarking Code WO W
ktc3876s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3876STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EL B LFEATURESDIM MILLIMETERSExcellent hFE Linearity_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V, IC=400mA.C 1.30 MAX2Complementary to KTA1505S. 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~
ktc3876.pdf
KTC3876SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High hFE 1. BASE Complementary to KTA1505 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 500 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW
ktc3876.pdf
KTC3876 SOT-23 Transistor(NPN)SOT-231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features High hFE: hFE=70-400 Complementary to KTA1505 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Contin
ktc3876.pdf
KTC3876Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon COLLECTOR31BASE2SOT-23EMITTER(Ta=25 C)MAXIMUM RATINGSRating Symbol ValueUnitCollector-Emitter Voltage VCEO 30 VdcCollector-Base Voltage VCBO35 VdcEmitter-Base Voltage VEBO5.0 VdcCollector Current -Continuous ICmAdc500THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristics Symbol ValueUnitTotal Device Dissipatio
ktc3876.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsKTC3876 (KTC3876S)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Excellent hFE Linearity Complementary to KTA1505/KTA1505S1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 35 Collecto
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050