TTC5460B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTC5460B

Маркировка: C5460B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126N

 Аналоги (замена) для TTC5460B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTC5460B даташит

 ..1. Size:268K  toshiba
 ttc5460b.pdf pdf_icon

TTC5460B

TTC5460B NPN TTC5460B TTC5460B TTC5460B TTC5460B 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) VCEO = 800 V 3. ( ) 3.

Другие транзисторы: TFJD1760, TTC004B, TTC011B, TTC014, TTC015B, TTC016, TTC017, TTC3710B, 13005, TTD1409B, TTD1410B, TTD1415B, TTD1509B, TFM1759, TFN1036, TFN1037, TFN1386L