TFM1759. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFM1759

Маркировка: M94_M9X

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для TFM1759

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFM1759 даташит

 ..1. Size:558K  tinfar
 tfm1759.pdf pdf_icon

TFM1759

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFM1759 Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typically V = -0.07V at Ic/I =-10mA/-1mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505M3. Symbol Outline TFM1759 SOT-89 B Base C Collector B C E E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter S

Другие транзисторы: TTC016, TTC017, TTC3710B, TTC5460B, TTD1409B, TTD1410B, TTD1415B, TTD1509B, NJW0281G, TFN1036, TFN1037, TFN1386L, TFN1424, TFN1514, TFN1590, TFN1721, TFN1759