TFN2150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN2150

Маркировка: CF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN2150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN2150 даташит

 ..1. Size:223K  tinfar
 tfn2150.pdf pdf_icon

TFN2150

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/5 TFN2150 50V 4A NPN TRANSISTOR Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to TFN1424 Pb-free package Symbol Outline TFN2150 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limit Unit Collecto

Другие транзисторы: TSC5303DCH, TSC5303DCP, TSC5304DCH, TSC5304DCP, TSC5304EDCH, TSC5304EDCP, TSC5327CZ, TFN2059, BD136, TFN2411, TFN2412, TFN2444, TFN3838, TFN3906, TFN4061, TFN4505, TFN5094