TFN3838. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN3838

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN3838

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN3838 даташит

 ..1. Size:292K  tinfar
 tfn3838.pdf pdf_icon

TFN3838

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN3838 Features High transition frequency, f =3.2GHz(typ.) T Low output capacitance, Cob=0.8pF(typ.) Applications UHF converter. Local oscillator Symbol Outline SOT-23 TFN3838 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO

Другие транзисторы: TSC5304EDCH, TSC5304EDCP, TSC5327CZ, TFN2059, TFN2150, TFN2411, TFN2412, TFN2444, D667, TFN3906, TFN4061, TFN4505, TFN5094, TS13002ACT, TS13002CT, TS13003BCT, TS13003CK