TS13003CT - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор TS13003CT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: TS13003CT
   Маркировка: TSC13003
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
   Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для TS13003CT

TS13003CT Datasheet (PDF)

6.1. Size:164K taiwansemi
ts13003ck-ct.pdf

TS13003 High Voltage NPN Transistor TO-92 TO-126 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCEO 400V 2. Collector 3. Base BVCBO 700V IC 1.5A VCE(SAT) 1V @ IC =0.5A, IB =0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

7.1. Size:399K taiwansemi
ts13003bct.pdf

TS13003B High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 400V 3. Base BVCBO 700V IC 1.5A VCE(SAT) 0.8V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

7.2. Size:441K taiwansemi
ts13003mv.pdf

TS13003MV High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 400V 3. Base BVCBO 800V IC 1.5A VCE(SAT) 0.8V @ IC / IB = 1A / 0.25A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

7.3. Size:333K taiwansemi
ts13003 d07.pdf

TS13003 High Voltage NPN Transistor TO-92 TO-126 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 1. Emitter 2. Collector 2. Collector BVCEO 400V 3. Base 3. Base BVCBO 700V IC 1.5A VCE(SAT) 0.8V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transisto

7.4. Size:276K taiwansemi
ts13003hv a07.pdf

TS13003HV High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 530V 3. Base BVCBO 900V IC 1.5A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

7.5. Size:399K taiwansemi
ts13003b c07.pdf