Биполярный транзистор THA15 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: THA15
Маркировка: SD1726
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 318 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 220 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18
Корпус транзистора: SOT121
THA15 Datasheet (PDF)
tha15.pdf
SD1726 (THA15)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONSFEATURES OPTIMIZED FOR SSB 30 MHz 50 V IMD-30 dB COMMON EMITTER GOLD METALLIZATIONM174 POUT = 150 W PEP MIN. WITH 14 dB GAIN epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1726 THA15DESCRIPTIONPIN CONNECTIONThe SD1726 is a 50 V epitaxial silicon NPN4 1planar transistor designed primarily for
sd1726 tha15.pdf
SD1726 (THA15)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONSFEATURES OPTIMIZED FOR SSB 30 MHz 50 V IMD-30 dB COMMON EMITTER GOLD METALLIZATIONM174 POUT = 150 W PEP MIN. WITH 14 dB GAIN epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1726 THA15DESCRIPTIONPIN CONNECTIONThe SD1726 is a 50 V epitaxial silicon NPN4 1planar transistor designed primarily for
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050