TSD1760CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD1760CP

Маркировка: D1760

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для TSD1760CP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSD1760CP даташит

 ..1. Size:230K  taiwansemi
 tsd1760cp.pdf pdf_icon

TSD1760CP

TSD1760 Low Vcesat NPN Transistor TO-252 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (DPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO 50V 3. Emitter BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1184CP TSD1760CP RO TO-252 2.5Kpcs / 13 Reel St

Другие транзисторы: THA15, THA42TTD03, THA92TTD03, TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW, TIP36CW, TSD1664CY, A733, TSD1858CH, TSD2098ACY, TSD2118CP, TSD2150A, TSD2444CX, TSD882CK, TSD882S, TSL13003