TSD2118CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD2118CP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для TSD2118CP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSD2118CP даташит

 ..1. Size:211K  taiwansemi
 tsd2118cp.pdf pdf_icon

TSD2118CP

TSD2118 Low Vcesat NPN Transistor TO-252 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base (DPAK) 2. Collector BVCBO 50V 3. Emitter BVCEO 20V IC 5A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.35 @ IC / IB = 4A / 100mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1412 TSD2118CP RO TO-252 2.5Kpcs / 13 Reel Stru

 9.1. Size:108K  taiwansemi
 tsd2150a.pdf pdf_icon

TSD2118CP

TSD2150A Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 TO-92 Pin Definition Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base 1. Emitter BVCBO 80V 2. Collector 2. Collector 3. Emitter 3. Base BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.1 @ IC / IB = 1A / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1424A T

Другие транзисторы: TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW, TIP36CW, TSD1664CY, TSD1760CP, TSD1858CH, TSD2098ACY, MJE340, TSD2150A, TSD2444CX, TSD882CK, TSD882S, TSL13003, TV9018NND03, TK2222ATTD03, TK2907ATTD03