Справочник транзисторов. TSD2118CP

 

Биполярный транзистор TSD2118CP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TSD2118CP
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для TSD2118CP

 

 

TSD2118CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  taiwansemi
tsd2118cp.pdf

TSD2118CP
TSD2118CP

TSD2118 Low Vcesat NPN Transistor TO-252 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base (DPAK) 2. Collector BVCBO 50V 3. Emitter BVCEO 20V IC 5A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.35 @ IC / IB = 4A / 100mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1412 TSD2118CP RO TO-252 2.5Kpcs / 13 Reel Stru

 9.1. Size:108K  taiwansemi
tsd2150a.pdf

TSD2118CP
TSD2118CP

TSD2150A Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 TO-92 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 1. Emitter BVCBO 80V 2. Collector 2. Collector 3. Emitter 3. Base BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.1 @ IC / IB = 1A / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1424A T

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top